谷歌将于今年晚些时候推出 Pixel 10 系列及 Tensor G5 芯片，这将是该公司首次从三星转向台积电，大规模生产其高端芯片组。鉴于这家韩国代工厂在提升 3nm GAA 工艺良率方面举步维艰，谷歌寻求替代方案只是时间问题，但情况并非一直如此 ...

据报道，三星电子商业支持特别工作组和三星全球研究院正在推进提升 2 纳米 GAA 良率的战略。消息人士 @Jukanlosreve 在 X 平台上发布了详细信息，指出三星对这一光刻技术的关注主要源于客户对半导体的需求，这些客户可能在未来两到三年内继续依赖这项技术。投资于 2 纳米以下的工艺存在较高风险，但三星在 2 纳米 GAA ...

IT之家 7 月 7 日消息，三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户，但这一努力面临重重困难，这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到 2026 年，还使得该公司 1.4 纳米工艺的推进受阻，因为三星正在全力提升 2 纳米环绕栅极（GAA）技术的良率 ...

有消息称，骁龙8至尊版二代有两个版本正在开发中，其中一个版本采用三星2纳米全环绕栅极（GAA）工艺制造，代号为“Kaanapali S”。然而，有传闻称高通对在9月23日举行的骁龙峰会上宣布两款旗舰系统级芯片（SoC）变体有所顾虑。正因如此，圣地亚哥 ...

来自中国的研究团队针对婴儿型庞贝氏症（GAA缺乏症）开展基因治疗研究，采用AAV9载体递送人源酸性α-葡萄糖苷酶基因（1.2×1014 vg/kg剂量）。52周观察显示3例患者心脏功能和运动能力显著改善，未检测到抗GAA抗体，为遗传代谢病治疗提供新策略。

在半导体技术持续向纳米尺度推进的过程中，晶体管结构的创新成为突破物理极限的关键。从FinFET到GAA (全环绕栅极)晶体管的技术迭代，本质上是对量子隧穿效应、短沟道效应等微观物理现象的主动应对。GAA晶体管通过纳米片或纳米线结构实现栅极对沟道的四面包裹，而FinFET则依赖三维鳍片结构抑制 ...

相关新闻据中央气象台的消息，“五一”假期后两天（5月4日至5日），我国南方地区将有较强降雨，公众请合理安排假期返程计划，雨天出行需留意交通安全。 广州白云花都下冰雹了 昨日白天，南方的强降雨进入此轮最强时段。据@广东天气预报，5月4日至6日，广东中北部有大雨局部（大）暴雨 ...

据 EE Times 报道，英伟达（Nvidia）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）在近期 GTC 大会的一场问答环节中表示，依赖全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）晶体管的下一代制程技术可能会为公司处理器带来大约 20% 的性能提升。然而他同时强调，对于英伟达的 GPU 而言，最主要的性能飞跃源于公司自身的架构创新 ...

中国科学院微电子所成功研发新型低温臭氧准原子级处理技术，显著降低GAA晶体管界面态密度，优化开关性能，接近理论极限。这一技术为高性能集成电路制造提供了新路径。#科技创新##微电子技术# ...

本期节目主要内容：俄：俄美代表未来两周内将举行新一轮会晤。俄：俄美代表第二轮会谈将在沙特利雅得举行；美媒：美要求乌克兰出让一半的自然资源收入。特朗普：美乌矿产协议已“非常接近”达成；访美在即，马克龙敦促特朗普不能对普京示弱。英首相：欧洲必须为集体安全的利益而采取 ...

目前芯片代工的三巨头英特尔、三星和台积电都在积极备战GAA技术。 随着 2024 年 6 月 12 日在圣何塞举行的 2024 年三星晶圆代工论坛（SFF）的召开 ...