据外媒披露，三星电子业务支援特别工作组与三星全球研究院已联合制定2纳米GAA良率提升战略。据信息显示，三星聚焦该制程的主因是客户未来两至三年将持续采用该技术。投资2纳米以下工艺风险极高，而三星2纳米GAA节点已取得实质性突破，有望借此技术实现市场反攻 ...

三星近年来持续通过先进制造工艺争取客户，但这一进程遭遇了不小的挑战。这些困难不仅使得其位于泰勒的工厂投产时间延后至2026年，也影响到了1.4纳米工艺的研发进展，原因在于公司正集中资源提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

GAA纳米片晶体管在提高密度的同时，提供了功率和性能优势，但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前，全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

据报道，三星电子商业支持特别工作组和三星全球研究院正在推进提升 2 纳米 GAA 良率的战略。消息人士 @Jukanlosreve 在 X 平台上发布了详细信息，指出三星对这一光刻技术的关注主要源于客户对半导体的需求，这些客户可能在未来两到三年内继续依赖这项技术。投资于 2 纳米以下的工艺存在较高风险，但三星在 2 纳米 GAA ...

IT之家 7 月 7 日消息，三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户，但这一努力面临重重困难，这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到 2026 年，还使得该公司 1.4 纳米工艺的推进受阻，因为三星正在全力提升 2 纳米环绕栅极（GAA）技术的良率 ...

” 三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，只是表示，GAA 架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，可满足某些栅极宽度的需求。 这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸进一步微缩更有可能性。

IT之家 6 月 23 日消息，三星 Exynos 2500 旗舰处理器今日在官网正式发布。 Exynos 2500 基于 3nm 工艺技术打造，搭载最新 Arm 架构的 10 核 CPU，大核性能比上一代提高了 15%，具体包括： Cortex-X925（参数页写为 X5）频率 3.3GHzCortex-A725 x 2 频率 ...

英特尔以RibbonFET的名称亮相其GAA技术；如同台积电一样，英特尔也计划在其2nm节点上采用这种新的半导体制造制程。 除了PowerVia互连，英特尔还计划在2024年中推出GAA RibbonFET晶体管，同时为新制程技术创建一种内部虚拟节点。

在与处于工艺技术前沿的台积电(TSM.US)竞争过程中，三星代工厂终于流片了使用其环栅 (GAA) 晶体管架构的 3nm 芯片。 这需要一套不同于台积电和 ...

GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。

如果能在5nm节点跟进GAA工艺， Intel官方承诺的“5nm工艺重新夺回领导地位”就不难理解了，因为GAA工艺上他们也是比较早跟进的。

三星终于赶在Galaxy Unpacked前，宣布最新旗舰芯片Exynos 2500。这是三星首款3纳米GAA（环绕闸极）制程打造的移动芯片，象征高端芯片制程大突破。 三星官网资讯，Exynos ...