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谷歌将于今年晚些时候推出 Pixel 10 系列及 Tensor G5 芯片,这将是该公司首次从三星转向台积电,大规模生产其高端芯片组。鉴于这家韩国代工厂在提升 3nm GAA 工艺良率方面举步维艰,谷歌寻求替代方案只是时间问题,但情况并非一直如此 ...
据外媒披露,三星电子业务支援特别工作组与三星全球研究院已联合制定2纳米GAA良率提升战略。据信息显示,三星聚焦该制程的主因是客户未来两至三年将持续采用该技术。投资2纳米以下工艺风险极高,而三星2纳米GAA节点已取得实质性突破,有望借此技术实现市场反攻 ...
gaa纳米片晶体管在提高密度的同时,提供了功率和性能优势,但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前,全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。
IT之家 7 月 7 日消息,三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户,但这一努力面临重重困难,这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到 2026 年,还使得该公司 1.4 纳米工艺的推进受阻,因为三星正在全力提升 2 纳米环绕栅极(GAA)技术的良率 ...
三星近年来持续通过先进制造工艺争取客户,但这一进程遭遇了不小的挑战。这些困难不仅使得其位于泰勒的工厂投产时间延后至2026年,也影响到了1.4纳米工艺的研发进展,原因在于公司正集中资源提升2纳米环绕栅极(GAA)技术的良率。
据报道,三星电子商业支持特别工作组和三星全球研究院正在推进提升 2 纳米 GAA 良率的战略。消息人士 @Jukanlosreve 在 X 平台上发布了详细信息,指出三星对这一光刻技术的关注主要源于客户对半导体的需求,这些客户可能在未来两到三年内继续依赖这项技术。投资于 2 纳米以下的工艺存在较高风险,但三星在 2 纳米 GAA ...
三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情,只是表示,GAA 架构改进了静电特性,从而提高了性能并降低了功耗,可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下,GAA 的沟道控制能力强化,尺寸进一步微缩更有可能性。
gaa制程技术是芯片微影技术的一项重要里程碑,随着美国和世界其他地方前所未有的晶圆厂扩建潮,该技术可能变得更加重要。先进半导体制造领域的三家大厂——台积电、三星和英特尔,目前都已经有了完整的gaa制程路线图。
IT之家 6 月 23 日消息,三星 Exynos 2500 旗舰处理器今日在官网正式发布。 Exynos 2500 基于 3nm 工艺技术打造,搭载最新 Arm 架构的 10 核 CPU,大核性能比上一代提高了 15%,具体包括: Cortex-X925(参数页写为 X5)频率 3.3GHzCortex-A725 x 2 频率 ...
随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革,这给设计团队带来了一 ...
那么所谓的GAA工艺又是什么呢? GAA是Gate-All-Around的缩写,GAA即环绕式栅极工艺,该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时通过增加驱动电流增强芯片性能,从而突破FinFET(鳍式场效应晶体管)技术的性能限制。
快科技3月30日消息,近日,黄仁勋在GTC 2025大会访谈中表示, 依靠环绕栅极(GAA)晶体管的下一代制程技术,将为新一代GPU带来20%的性能提升。 如无 ...