谷歌将于今年晚些时候推出 Pixel 10 系列及 Tensor G5 芯片，这将是该公司首次从三星转向台积电，大规模生产其高端芯片组。鉴于这家韩国代工厂在提升 3nm GAA 工艺良率方面举步维艰，谷歌寻求替代方案只是时间问题，但情况并非一直如此 ...

据外媒披露，三星电子业务支援特别工作组与三星全球研究院已联合制定2纳米GAA良率提升战略。据信息显示，三星聚焦该制程的主因是客户未来两至三年将持续采用该技术。投资2纳米以下工艺风险极高，而三星2纳米GAA节点已取得实质性突破，有望借此技术实现市场反攻 ...

gaa纳米片晶体管在提高密度的同时，提供了功率和性能优势，但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前，全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

三星近年来持续通过先进制造工艺争取客户，但这一进程遭遇了不小的挑战。这些困难不仅使得其位于泰勒的工厂投产时间延后至2026年，也影响到了1.4纳米工艺的研发进展，原因在于公司正集中资源提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

IT之家 7 月 7 日消息，三星一直致力于通过其先进的制造工艺吸引客户，但这一努力面临重重困难，这不仅导致其泰勒工厂的开业时间推迟到 2026 年，还使得该公司 1.4 纳米工艺的推进受阻，因为三星正在全力提升 2 纳米环绕栅极（GAA）技术的良率 ...

三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，只是表示，GAA 架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸进一步微缩更有可能性。

IT之家 6 月 23 日消息，三星 Exynos 2500 旗舰处理器今日在官网正式发布。 Exynos 2500 基于 3nm 工艺技术打造，搭载最新 Arm 架构的 10 核 CPU，大核性能比上一代提高了 15%，具体包括： Cortex-X925（参数页写为 X5）频率 3.3GHzCortex-A725 x 2 频率 ...

那么所谓的GAA工艺又是什么呢？ GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。

在与处于工艺技术前沿的台积电(TSM.US)竞争过程中，三星代工厂终于流片了使用其环栅 (GAA) 晶体管架构的 3nm 芯片。 这需要一套不同于台积电和 ...

按照目前各大公司发布的信息，三星打算从2022年投产的第一代3nm就引入GAA晶体管，据介绍，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多桥－通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

三星终于赶在Galaxy Unpacked前，宣布最新旗舰芯片Exynos 2500。这是三星首款3纳米GAA（环绕闸极）制程打造的移动芯片，象征高端芯片制程大突破。 三星官网资讯，Exynos ...

Intel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺，首发产品是数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了，因为Intel在这个节点会放弃FinFET ...